1.1.2 局部放電過程
局放過程是放電的發(fā)展效應(yīng),它伴隨著每次放電現(xiàn)象,這些效應(yīng)(例如電流波形)取決于材料和電場(chǎng)分布,并為表示局放的特性提供了一些手段。
局放過程有很大的多樣性,局放在設(shè)備的高壓電氣絕緣中發(fā)生。這種多樣性是由于所用的絕緣材料范圍很大,特定的絕緣系統(tǒng)中空隙或界面的幾何形狀有很大區(qū)別。放電通常在氣相發(fā)生,這可能在氣體絕緣的開放體積中發(fā)生,如空氣和SF6,也可能在固體絕緣的含有氣體的孔隙中發(fā)生。它還可能在液體絕緣的氣泡中發(fā)生,這種氣泡是由于液體自身氣化或者水分氣化而產(chǎn)生的。然而,即使放電通常被看作是氣體放電,但是在固體和液體中也可能發(fā)生電子崩,在*次電子崩之后,可能形成空腔包含的蒸汽或等離子體。然后可能促成再次氣體放電條件的形成。
我們可以認(rèn)為放電主要是氣體放電,如上所述,當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)超過確定的強(qiáng)度并且存在活化電子時(shí),這些放電就發(fā)生。氣體放電存在許多類型(例如輝光放電、流注、Townsend和先導(dǎo)放電)。它們中發(fā)生哪一種取決于電場(chǎng)、電場(chǎng)分布、氣體類型和材料/固體/液體周圍的表面情況。這些又決定了所產(chǎn)生的電流脈沖的形狀。例如在SF6中電流脈沖的上升時(shí)間比在空氣中或者輝光放電快,這個(gè)特性原則上可用于表示放電的特性。
上限頻率在0.5-1.OMHz范圍的傳統(tǒng)局放檢測(cè)系統(tǒng)不能采集真實(shí)的電流脈沖波形,所以不能提供詳細(xì)的局放“指紋圖”的圖像,但是現(xiàn)代化的高頻天線、電流變換器或者羅高夫斯基線圈傳感器為描述信號(hào)中的高頻分量提供了可能性,所以可以采集更詳細(xì)的局放波形特性。